エピウエーハー
無極性、半極性/ GaN基板
Non-Polar & Semi-Polar GaN Substrate
無極性、半極性/ GaN基板
Non-Polar & Semi-Polar GaN Substrate
◇物理的特性：
結晶構造はウルツ鉱構造と閃亜鉛鉱構造の2種類を取りうるが、前者がエネルギー的に安定であり、よく使われている。
ウルツ鉱構造の格子定数は、a軸が 3.18 Å、c軸が 5.17 Å である。
バンドギャップは室温において約 3.4 eV で、波長では約 365 nm に相当し、紫外領域の光源となる。微量のインジウム
(In)を加えて InGaN 結晶にすることで紫色、青色の光源として用いることができる。発光ダイオードによる光の三原色の
ひとつとして交通信号やディスプレイに用いられる。
他の半導体と比べて
1.熱伝導率が大きく放熱性に優れている 2.高温での動作が可能
3.電子の飽和速度が大きい 4.絶縁破壊電圧が高い
結晶構造はウルツ鉱構造と閃亜鉛鉱構造の2種類を取りうるが、前者がエネルギー的に安定であり、よく使われている。
ウルツ鉱構造の格子定数は、a軸が 3.18 Å、c軸が 5.17 Å である。
バンドギャップは室温において約 3.4 eV で、波長では約 365 nm に相当し、紫外領域の光源となる。微量のインジウム
(In)を加えて InGaN 結晶にすることで紫色、青色の光源として用いることができる。発光ダイオードによる光の三原色の
ひとつとして交通信号やディスプレイに用いられる。
他の半導体と比べて
1.熱伝導率が大きく放熱性に優れている 2.高温での動作が可能
3.電子の飽和速度が大きい 4.絶縁破壊電圧が高い
窒化ガリウム（チッカガリウム、GaN）はガリウムの窒化物であり、主に青色発光ダイオード（青色LED）の材料として
用いられる半導体である。ガリウムナイトライド (gallium nitride) とも呼ばれる。
用いられる半導体である。ガリウムナイトライド (gallium nitride) とも呼ばれる。
|
パラメータ
|
仕様値
|
||
|
面方位/Orientation
|
C-軸 -1°±0.2°に対して
A-面 (11-20) C-軸 -1°±0.2°OFF |
C-軸 -1°±0.2°に対して
A-面 (11-20) 偏角 C-軸 -1°±0.2°OFF |
(20-21), (20-2-1), (11-22)
(30-31), (10-11) |
|
サイズ/ 厚さ / 有効面積
|
5.0 ~ 10.0mm x 10.0mm; ± 0.2mm / 350 ± 25um / >90%
|
||
|
5.0 ~ 10.0mm x 20.0mm; ± 0.2mm / 350 ± 25um / >90%
|
|||
|
厚さ変動
|
≦ 10 um
|
||
|
たわみ(Bow)
|
≦ 10 um
|
||
|
伝導タイプの抵抗率
|
N-type (ドープ無し) < 0.5 Ω･cm
|
||
|
N-type (Ge ドープ) < 0.05 Ω･cm
|
|||
|
半絶縁-type (Fe ドープ) > 106 Ω･cm
|
|||
|
転位密度
|
≦5x 105cm-2
|
||
|
研磨
|
前面: Ra < 0.2nm (エピレディー研磨); 背面: (ファイングラウンド)
|
||
|
梱包
|
クラス100の環境のクリーン室にて窒素雰囲気中で容器に梱包
|
||
◇仕様: 無極性、半極性 GaN(窒化ガリウム)基板
注意：その他仕様、在庫状況についてはお問い合わせ下さい。
仕 様